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| n型InP（100）衬底上电沉积氧化锌薄膜的制备及光致发光 | |
| 引用本文： | 翁占坤,刘爱民,刘艳红,胡增权.n型InP（100）衬底上电沉积氧化锌薄膜的制备及光致发光[J].发光学报,2008,29(2). |
| 作者姓名： | 翁占坤 刘爱民 刘艳红 胡增权 |
| 作者单位： | [1]大连理工大学三束国家重点实验室；物理与光电工程学院,辽宁大连116024 [2]长春理工大学生命科学技术学院,吉林长春130022 |
| 摘 要： | 采用电化学沉积方法在n型InP（100）（1016）衬底上制备了氧化锌薄膜。探索线性扫描伏安法确定InP与0．1mol／L Zn（NO3）2电解液的体系中沉积氧化锌的极化电势，在20℃溶液中，相对于甘汞电极（SCE）的极化电势为-1．1877V。扫描电镜照片显示：随着应用电势的降低，氧化锌薄膜变得紧密平滑；狭窄的X射线衍射峰也说明低电势下薄膜的结晶质量较好。光荧光表征发现低电势下制备的氧化锌薄膜具有良好的发光特性。 |
| 关 键 词： | 氧化锌薄膜 电沉积 X射线衍射 光致发光 |
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