Hn^+(n≤7)团簇)在Au—Si面垒探测器死层中的能损 |
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作者姓名: | 杨朝文 师勉恭 |
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作者单位: | [1]四川联合大学(四川大学)物理系 [2]四川联合大学(四川大学)原子核科学技术研究所 |
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基金项目: | 国家自然科学基金,国家教委专项基金,核科学基金 |
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摘 要: | 利用Au-Si面垒探测器是灵敏区前的死层作为靶物质,研究了Hn^+(n≤7,250keV/p-450keV/p)团簇的其中的能损,得到能损比Rn〉1,且随团簇大小n和平均每核子能量增加而增大。
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关 键 词: | 团簇 能损 金-硅面垒 探测器死层 |
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