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| Role of MeV Ion Implantation in Limiting Transient Enhanced Diffusion of Born Atoms in Silicon | |
| 作者姓名： | LiuChanglong B.J.sealy |
| 作者单位： | [1]不详 [2]UniversityofSurrey,SurreyCentreforResearchinIonBeamApplications,Guildford,Surrey,GU27XH,UK |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | p－n结 离子注入 瞬时增强扩散 硅 |
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