| 1.06 μm连续激光辐照TiO2/SiO2/K9薄膜元件温升规律研究 |
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| 作者姓名： | 周维军 袁永华 桂元珍 沈志学 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院,流体物理研究所,四川,绵阳,621900;中国工程物理研究院,流体物理研究所,四川,绵阳,621900;中国工程物理研究院,流体物理研究所,四川,绵阳,621900;中国工程物理研究院,流体物理研究所,四川,绵阳,621900 |
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| 基金项目： | 国家863计划项目资助课题. |
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| 摘 要： | 利用1．06μm连续激光在不同强度下辐照TiO2／SiO2／K9薄膜元件，实验中用红外热像仪测量激光辐照在TiO2／SiO2／K9元件表面引起的温升随时间的变化，通过数据处理，获得激光辐照区域最高温度随辐照时间的增加而增加。同时，给出材料温升随材料发射率的变化关系。并用程序模拟不同激光强度下薄膜温度场的分布，通过实验测量数据校正数值模拟计算结果，给出TiO2／SiO2／K9薄膜元件温度随激光辐照强度和辐照时间的变化规律。并且获得在薄膜厚度方向：薄膜表面温度最高，基底与薄膜接触处温度最低；沿径向：激光辐照中心温度最高，边沿温度最低。
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| 关 键 词： | 连续激光 薄膜元件 温度场 数值模拟 |
| 文章编号： | 1001-4322(2005)09-1307-05 |
| 收稿时间： | 2005-03-08 |
| 修稿时间： | 2005-05-23 |
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