半导体纳米结构的可控生长 |
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引用本文: | 王占国. 半导体纳米结构的可控生长[J]. 人工晶体学报, 2002, 31(3): 208-217 |
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作者姓名: | 王占国 |
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作者单位: | 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 |
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基金项目: | 国家基础研究规划项目(G 2000068300) |
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摘 要: | 应用MBE技术和SK生长模式,通过对研究材料体系的应力分布设计,生长动力学研究和生长工艺优化,实现了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP无缺陷量子点(线)的尺寸、形状、密度和分布有序性的可控生长,这对进一步的器件应用特别重要.讨论了半导体纳米结构的空间有序性分布物理起因和退火的机制.
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关 键 词: | 量子点 量子线 半导体纳米结构, |
文章编号: | 1000-985X(2002)03-0208-10 |
修稿时间: | 2001-12-24 |
Controllable Growth of Semiconductor Nanometer Structures |
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