| 半导体纳米结构的可控生长 |
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| 引用本文： | 王占国.半导体纳米结构的可控生长[J].人工晶体学报,2002,31(3):208-217. |
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| 作者姓名： | 王占国 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家基础研究规划项目(G 2000068300) |
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| 摘 要： | 应用MBE技术和SK生长模式,通过对研究材料体系的应力分布设计,生长动力学研究和生长工艺优化,实现了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP无缺陷量子点(线)的尺寸、形状、密度和分布有序性的可控生长,这对进一步的器件应用特别重要.讨论了半导体纳米结构的空间有序性分布物理起因和退火的机制.
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| 关 键 词： | 量子点 量子线 半导体纳米结构 |
| 文章编号： | 1000-985X(2002)03-0208-10 |
| 修稿时间： | 2001年12月24 |
Controllable Growth of Semiconductor Nanometer Structures |
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