铜离子对SV通道电流特性的影响 |
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作者姓名: | 张丽平 杨频 |
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作者单位: | 1. 太原科技大学环境科学研究所,太原,030024;山西大学分子科学研究所,化学生物学与分子工程教育部重点实验室,太原,030006 2. 山西大学分子科学研究所,化学生物学与分子工程教育部重点实验室,太原,030006 |
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基金项目: | 国家自然科学基金;山西省青年科研项目;太原科技大学校科研和教改项目 |
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摘 要: | 利用全液泡膜片钳技术, 在液泡上研究了氯化铜对钙离子激活的慢液泡阳离子通道电流特性的影响. 外液中加入氯化铜后, 在高浓度时, 抑制通道电流, 并且抑制率随浓度增大而增大, 并随电压的变化而变化; 而在低浓度时, 则促进通道电流, 对SV通道电流的促进率随着刺激电压增大而减小; 而且通道电流的激活时间常数明显减小, 且当刺激电压在20 ~ 120 mV时, 激活时间常数减小的幅度比较大; 而当大于120 mV时, 则不太明显. 这些提示SV通道上可能存在着铜离子的结合位点, 此结合位点结合铜离子后, 可能会改变通道的一些特性.
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关 键 词: | SV通道 铜离子 膜片钳技术 |
收稿时间: | 2006-06-30 |
修稿时间: | 2006-06-30 |
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