SIMS-Analyse von Wasserstoff in Si-Proben |
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| Authors: | K. Besocke G. Flentje H. L. Bay W. O. Hofer und U. Littmark |
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| Affiliation: | (1) Institut für Plasmaphysik, Bundesrepublik Deutschland;(2) Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik, Kernforschungsanlage Jülich 2, Postfach 1913, D-5170 Jülich, Bundesrepublik Deutschland |
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| Abstract: | Zusammenfassung Um die optimalen Bedingungen für den Wasserstoffnachweis in Festkörpern zu finden, wurden systematische Untersuchungen an mit Wasserstoff bzw. Deuterium implantierten Si-Proben durchgeführt. Es wurden die SIMS-Tiefenprofile analysiert, die Sputterraten gemessen und die Nachweisempfindlichkeit quantitativ ermittelt. Bei kleinen Implantationsdosen zeigt sich eine gute Übereinstimmung der gemessenen Profile mit den theoretischen Berechnungen.
SIMS analysis of hydrogen in Si samples Summary In order to optimize the hydrogen analysis in solids, systematic SIMS investigations on H and D implanted Si samples were made. Depth profiles obtained under different experimental conditions were discussed, sputtering yields and detection limits were determined. For low implantation doses the measured depth profiles are in good agreement with theoretically determined distributions.
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