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MgO衬底NbN/AlN/NbN多层膜的制备
引用本文:施建荣,康琳,蔡卫星,陈亚军,吉争鸣,吴培亨.MgO衬底NbN/AlN/NbN多层膜的制备[J].低温物理学报,2003,25(Z1):272-275.
作者姓名:施建荣  康琳  蔡卫星  陈亚军  吉争鸣  吴培亨
作者单位:南京大学超导电子学实验室,南京,210093
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划),国家高技术研究发展计划(863计划),G19990646,,,
摘    要:本文主要讨论磁控溅射设备制备的NbN/AlN/NbN三层结构的技术工艺,为制备All-NbN的 NbN/AlN/NbN SIS 隧道结作准备.我们在室温下利用直流磁控溅射工艺制备了单晶NbN薄膜,并对其超导电性做了初步的研究;又利用射频磁控溅射工艺制备了取向较好的AlN薄膜.我们利用磁控溅射方法制作NbN/AlN/NbN多层薄膜,然后对制备SIS隧道结进行了一些探索.

关 键 词:NbN  AlN  NbN/AlN/NbN  磁控溅射  射频磁控溅射

FABRICATION OF NbN/AlN/NbN TRILAYERS ON MgO SUBSTRATES
Abstract:
Keywords:NbN  AlN  NbN/AlN/NbN
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