| MgO衬底NbN/AlN/NbN多层膜的制备 |
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| 引用本文： | 施建荣,康琳,蔡卫星,陈亚军,吉争鸣,吴培亨.MgO衬底NbN/AlN/NbN多层膜的制备[J].低温物理学报,2003,25(Z1):272-275. |
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| 作者姓名： | 施建荣 康琳 蔡卫星 陈亚军 吉争鸣 吴培亨 |
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| 作者单位： | 南京大学超导电子学实验室,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，G19990646，，， |
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| 摘 要： | 本文主要讨论磁控溅射设备制备的NbN/AlN/NbN三层结构的技术工艺,为制备All-NbN的 NbN/AlN/NbN SIS 隧道结作准备.我们在室温下利用直流磁控溅射工艺制备了单晶NbN薄膜,并对其超导电性做了初步的研究;又利用射频磁控溅射工艺制备了取向较好的AlN薄膜.我们利用磁控溅射方法制作NbN/AlN/NbN多层薄膜,然后对制备SIS隧道结进行了一些探索.
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| 关 键 词： | NbN AlN NbN/AlN/NbN 磁控溅射 射频磁控溅射 |
FABRICATION OF NbN/AlN/NbN TRILAYERS ON MgO SUBSTRATES |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | NbN AlN NbN/AlN/NbN |
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