用新工艺制造亚微米发射极晶体管

以前,人们为了改善双极型晶体管在微波领域的噪声系数曾做过种种努力。众所周知,这类晶体管的噪声系数可表示为:(?)从上式可知,这种晶体管在微波领域使用,要求 f_α即 f_T 尽可能地高,要求 r_(bb)′尽可能地小。为此需要努力改进杂质扩散技术和微细图形加工技术。在微细图形加工方面,现在的情况是利用电子束法、投影曝光法等技术能够实现亚微米发射极,但是,目前这些方法尚处于研究阶段,不仅需要高价设备而且在稳定性及批量生产方面也不实用。