| ECR-PECVD制备n型微晶硅薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 张学宇,吴爱民,冯煜东,胡娟,岳红云,闻立时. ECR-PECVD制备n型微晶硅薄膜的研究[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(4): 852-856 |
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| 作者姓名： | 张学宇 吴爱民 冯煜东 胡娟 岳红云 闻立时 |
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| 作者单位： | 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室,大连,116024;大连理工大学材料科学与工程学院,大连,116024;兰州空间技术物理研究所表面工程技术国家级重点实验室,兰州,730000;大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室,大连,116024;中国科学院沈阳金属研究所,沈阳,110016 |
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| 基金项目： | 教育部留学回国人员科研启动基金，辽宁省原材料特种制备技术重点实验室基金，辽宁省教育厅高等学校科技研究项目资助，中央高校基本科研业务费专项资金资助 |
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| 摘 要： | 用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)的方法制备了磷掺杂微晶硅薄膜材料.通过Hall,Raman光谱和XRD的测试分析,研究了衬底温度和磷烷流量对掺杂薄膜组织结构和电学性能的影响.根据AFM照片分析了薄膜的表面形貌,进而推测了薄膜的内部组成.实验发现:衬底温度在250 ℃时,磷烷的加入会大大降低薄膜的晶化率.衬底温度提高到350 ℃后这种影响明显下降.薄膜的载流子浓度和电导率受薄膜晶化率影响明显,衬底温度的升高对薄膜电学性能提高有较大帮助.
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| 关 键 词： | ECR-PECVD 磷掺杂 微晶硅薄膜 霍尔测量, |
Preparation of n-type Microcrystal Si: H Films by ECR-PECVD |
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| ZHANG Xue-yu,WU Ai-min,FENG Yu-dong,HU Juan,YUE Hong-yun,WEN Li-shi. Preparation of n-type Microcrystal Si: H Films by ECR-PECVD[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2010, 39(4): 852-856 |
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| Authors: | ZHANG Xue-yu WU Ai-min FENG Yu-dong HU Juan YUE Hong-yun WEN Li-shi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ECR-PECVD |
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