40Ar10+轰击Al和Si固体表面形成的200 ~ 1000 nm光谱 |
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引用本文: | 张小安,赵永涛,李福利,杨治虎,肖国青,詹文龙.40Ar10+轰击Al和Si固体表面形成的200 ~ 1000 nm光谱[J].中国科学(G辑),2003,33(3):234-239. |
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作者姓名: | 张小安 赵永涛 李福利 杨治虎 肖国青 詹文龙 |
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作者单位: | 1. 西安交通大学应用物理系,西安,710049;中国科学院近代物理研究所,兰州,730000 2. 西安交通大学应用物理系,西安,710049 3. 中国科学院近代物理研究所,兰州,730000 |
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基金项目: | 国家自然科学基金重点项目(批准号:10134010)和国家自然科学基金资助项目(批准号:19804012,10274058,10274088) |
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摘 要: | 报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR离子源提供的高电荷态离子40Ar10+入射到Al和p型Si表面所产生的Al, Si, Ar原子的200~1000 nm特征光谱的实验测量结果. 结果表明, 低速高电荷态离子与固体表面原子相互作用可有效地激发靶原子和靶离子的特征谱线, 而且由于发射二次电子的无辐射退激与辐射光子退激过程的竞争, 使得在p型Si表面上Ar原子的光谱强度总体大于在Al表面上的光谱强度.
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关 键 词: | 空心原子 特征光谱 光谱强度 高电荷态离子 |
收稿时间: | 2002-12-12 |
修稿时间: | 2003-03-31 |
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