| 掺P石墨烯结构和电子性质的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 唐斌,罗强,张强,伍振海,冉曾令. 掺P石墨烯结构和电子性质的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(5): 1269-1273 |
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| 作者姓名： | 唐斌 罗强 张强 伍振海 冉曾令 |
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| 作者单位： | 西南石油大学理学院,成都,610500;电子科技大学通信与信息工程学院,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51205149);四川省教育厅重点项目(11ZA025) |
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| 摘 要： | 基于密度泛函理论第一性原理,在广义梯度近似下,本文研究本征石墨烯和掺杂不同浓度P的石墨烯结构和电子性质并发现本征石墨烯禁带宽度为零;对于P∶C掺杂比分别为1∶17、1∶7、1∶1的石墨烯,其P-C键长由0.142nm的C-C键分别增大为0.1629 nm、0.1625 nm、0.1751 nm,其对应带隙分别由零带隙变为0.28 eV、0.44 eV、1.21eV:费米能级逐渐下降.分析分波态密度后发现,在掺P石墨烯中主要为P原子的3p态电子影响其总态密度.
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| 关 键 词： | 第一性原理 石墨烯 电子性质 态密度, |
First Principles Study on the Structure and Electronic Properties of P Doped Graphene |
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| TANG Bin,LUO Qiang,ZHANG Qiang,WU Zhen-hai,RAN Zeng-ling. First Principles Study on the Structure and Electronic Properties of P Doped Graphene[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(5): 1269-1273 |
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| Authors: | TANG Bin LUO Qiang ZHANG Qiang WU Zhen-hai RAN Zeng-ling |
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