| AlGaN成核层对SiC衬底外延GaN薄膜应力及缺陷影响的研究 |
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| 引用本文： | 徐明升,胡小波,徐现刚.AlGaN成核层对SiC衬底外延GaN薄膜应力及缺陷影响的研究[J].人工晶体学报,2014,43(6):1346-1350. |
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| 作者姓名： | 徐明升 胡小波 徐现刚 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100;山东浪潮华光光电子股份有限公司,济南250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CB301904);国家自然科学基金(11134006,51321091,51323002);山东大学基本科研业务费资助项目(2014QY005) |
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| 摘 要： | 研究了成核层生长条件对SiC衬底上GaN薄膜晶体质量和剩余应力的影响.采用AlGaN成核层并提高其生长温度,能明显降低SiC衬底上GaN外延层的缺陷密度和剩余应力.GaN薄膜的高分辨XRD摇摆曲线(0002)和(10-12)面的半峰宽达到161 arcsec和244 arcsec,拉曼频移达到567.7 cm-1.成核层的原子力显微镜结果显示GaN薄膜的晶体质量随着成核岛密度的降低而提高.
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| 关 键 词： | SiC衬底 GaN薄膜 AlGaN成核层 应力 晶体质量 |
Effect of AlGaN Nucleation Layer on the Stress and Dislocation of the GaN Film Grown on SiC Substrate |
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| XU Ming-sheng,HU Xiao-bo,XU Xian-gang.Effect of AlGaN Nucleation Layer on the Stress and Dislocation of the GaN Film Grown on SiC Substrate[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(6):1346-1350. |
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| Authors: | XU Ming-sheng HU Xiao-bo XU Xian-gang |
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