| Ho3+掺杂Sc2SiO5激光晶体生长与光谱性能研究 |
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| 引用本文： | 李璇,麻尉蔚,马凤凯,狄聚青,郑丽和,姜大鹏,苏良碧,杨秋红,徐军. Ho3+掺杂Sc2SiO5激光晶体生长与光谱性能研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(6): 1327-1331 |
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| 作者姓名： | 李璇 麻尉蔚 马凤凯 狄聚青 郑丽和 姜大鹏 苏良碧 杨秋红 徐军 |
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| 作者单位： | 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海200444;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201899;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201899;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200444 |
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| 基金项目： | 上海市自然科学基金(13ZR1446100,12JC1409100);国家自然科学基金(91222112,61205171,51272264) |
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| 摘 要： | 采用提拉法分别生长了具有高光学质量的0.5at;和1.0at;的Ho∶ Sc2SiO5(Ho∶ SSO)激光晶体.研究表明晶体空间群为C2/c,晶胞参数为a=0.99723 nm,b=0.64261 nm,c=1.16843 nm,β=103.9°.Ho3+在SSO基质中的分凝系数为0.82.Ho∶ SSO晶体在2085nm处发射截面为1.12×10-20 cm2,发射光谱呈现一个1850～2150nm的宽发射带.当粒子数反转比率β=0.25时,增益截面σg即开始出现正增益.综合评估了晶体的激光性能,表明Ho∶SSO晶体是一种有潜力的2μm波段激光介质.
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| 关 键 词： | Sc2SiO5 激光晶体 提拉法 分凝系数 发射光谱, |
Growth and Spectral Properties of Sc2SiO5 Laser Crystal Doped with HO3+ |
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