| 高温高压金刚石衬底上的同质外延生长研究 |
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| 引用本文： | 严垒,马志斌,曹为,吴超,高攀,张田田. 高温高压金刚石衬底上的同质外延生长研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(6): 1420-1424 |
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| 作者姓名： | 严垒 马志斌 曹为 吴超 高攀 张田田 |
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| 作者单位： | 武汉工程大学材料科学与工程学院,湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,武汉430073 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(10875093) |
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| 摘 要： | 在自主研发的小功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置上利用高温高压(HPHT)单晶金刚石片为衬底进行了金刚石同质外延生长的研究.研究了甲烷浓度、工作气压对金刚石生长速率的影响.测量了金刚石外延 生长过程中等离子体的发射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM)和数码相机对生长前后金刚石的形貌进行了表征,利用激光拉曼光谱对金刚石的质量进行了分析.结果表明:一定程度内,适当升高工作气压和甲烷浓度能够有效提高金刚石的生长速率;在外延生长过程会产生过多的丘状体,导致许多金刚石颗粒的产生,影响其生长时间和质量,通过生长、刻蚀相结合的方法能够有效延长生长时间,改善生长形貌;外延生长出的金刚石的激光拉曼图谱中金刚石1332 cm-1特征峰明显、尖锐,荧光背底低,非金刚石相特征峰较低.
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| 关 键 词： | 高温高压 金刚石单晶 同质外延, |
Homoepitaxial Growth of Diamond Single Crystal on HPHT Substrates |
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| YAN Lei,MA Zhi-bin,CAO Wei,WU Chao,GAO Pan,ZHANG Tian-tian. Homoepitaxial Growth of Diamond Single Crystal on HPHT Substrates[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(6): 1420-1424 |
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| Authors: | YAN Lei MA Zhi-bin CAO Wei WU Chao GAO Pan ZHANG Tian-tian |
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