首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

湿法刻蚀腔室结构数值优化
引用本文:王伟,向东,杨为,夏焕雄,张瀚.湿法刻蚀腔室结构数值优化[J].人工晶体学报,2014,43(5):1110-1114.
作者姓名:王伟  向东  杨为  夏焕雄  张瀚
作者单位:重庆大学机械传动国家重点实验室,重庆,400044;清华大学精密仪器与机械学系,北京,100084
基金项目:国家科技重大专项(2011Z02403-004)
摘    要:为确定某种新型刻蚀机最优的晶圆与喷淋头间距(Gap),通过CFD仿真分析气体在不同Gap腔室内的物质输运分布,并结合乙醇环境下HF酸刻蚀SiO2工艺的物理化学过程,建立了刻蚀速率估算公式,以此分析了不同Gap腔室的刻蚀速率及刻蚀均匀性,最终获得了具有最佳刻蚀效果的腔室结构.研究分析表明:Gap较小时晶圆中心刻蚀速率偏高,Gap较大时晶圆边缘刻蚀速率偏高;平均刻蚀速率随着Gap的增大逐渐降低,而刻蚀不均匀度随Gap增大先减小后增大,在Gap取值70 mm时刻蚀均匀性最佳且刻蚀速率较高.

关 键 词:刻蚀腔室  流场仿真  均匀性  刻蚀速率  

Numerical Optimization of a Chamber Structure Design for the Wet Etching
WANG Wei,XIANG Dong,YANG Wei,XIA Huan-xiong,ZHANG Han.Numerical Optimization of a Chamber Structure Design for the Wet Etching[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(5):1110-1114.
Authors:WANG Wei  XIANG Dong  YANG Wei  XIA Huan-xiong  ZHANG Han
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号