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硫化镓钡合成、生长及性能研究
引用本文:郭以峰,陈炜冬,林新松,周宇乔,叶宁.硫化镓钡合成、生长及性能研究[J].人工晶体学报,2014,43(7):1595-1601.
作者姓名:郭以峰  陈炜冬  林新松  周宇乔  叶宁
作者单位:中国科学院福建物质结构研究所,福州,350002
摘    要:利用硫过量双温区摇摆炉合成法来稳定合成BaGa4 S7 (BGS)多晶,并用此方法合成出的原料利用坩埚下降法生长BGS单晶.BGS的紫外和红外吸收边分别为350 nm和13.7 μm.在50℃时,它在a-,b-和c-方向的热导率分别为1.34 W/(m·K),1.58 W/(m·K)和1.68 W/(m·K).在1.064 μm、2.1 μm和9.85 μm时,它的激光损伤阈值分别为1.2 J/cm2,7.15 J/cm2和26.2 J/cm2.当泵浦光源在2.2 μm左右变化时,非临界相位匹配OPO输出波长在6~10μm之间.

关 键 词:硫镓钡  坩埚下降法  热导率  激光损伤阀值  

Synthesis,Growth and Properties of BaGa4S7
GUO Yi-feng,CHEN Wei-dong,LIN Xin-song,ZHOU YU-qiao,YE Ning.Synthesis,Growth and Properties of BaGa4S7[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(7):1595-1601.
Authors:GUO Yi-feng  CHEN Wei-dong  LIN Xin-song  ZHOU YU-qiao  YE Ning
Abstract:
Keywords:
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