| GaSb/GaAs异质结热光伏电池材料的MBE生长 |
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| 引用本文： | 郝瑞亭,郭杰,刘颖,缪彦美,徐应强.GaSb/GaAs异质结热光伏电池材料的MBE生长[J].人工晶体学报,2014,43(5):1076-1079. |
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| 作者姓名： | 郝瑞亭 郭杰 刘颖 缪彦美 徐应强 |
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| 作者单位： | 云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京100083;云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61006085,61176127);国家国际科技合作重点项目(2011DFA62380);教育部博士点基金(20105303120002);云南省社会发展科技计划(2009CD045) |
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| 摘 要： | 利用分子束外延方法(MBE)在GaAs (001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,并对GaSb薄膜进行了高温退火研究,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(Hall Effect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性质和光学性质进行了研究.发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高.研究发现30 s、650℃的快速热退火可消除位错等缺陷,显著提高GaSb薄膜的光学质量.
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| 关 键 词： | GaSb 热光伏电池 分子束外延(MBE) |
Growth of GaSb/GaAs Heterojunction Thermal Photovoltaic Cells by MBE |
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| HAO Rui-ting,GUO Jie,LIU Ying,MIAO Yan-mei,XU Ying-qiang.Growth of GaSb/GaAs Heterojunction Thermal Photovoltaic Cells by MBE[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(5):1076-1079. |
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| Authors: | HAO Rui-ting GUO Jie LIU Ying MIAO Yan-mei XU Ying-qiang |
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