| In掺杂对MVB-Te溶剂法生长的ZnTe晶体光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 刘航,介万奇,徐亚东,杨睿. In掺杂对MVB-Te溶剂法生长的ZnTe晶体光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(5): 1023-1028 |
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| 作者姓名： | 刘航 介万奇 徐亚东 杨睿 |
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| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51202197);国家重点基础研究专项基金(2011CB610406);高等学校博士学科点专项科研基金(20116102120014) |
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| 摘 要： | 采用Te溶剂结合改进的垂直布里奇曼法(MVB)制备了In:ZnTe与ZnTe晶体,并对晶体的光学与电学特性进行了表征.通过红外透过显微成像技术观察了In:ZnTe与ZnTe中的Te夹杂并进行了统计分析,发现In掺杂未对ZnTe中的Te夹杂的分布和尺寸产生显著影响.红外透过光谱分析表明,In:ZnTe与ZnTe晶体的红外透过率曲线均表现出平直的趋势,且其平均透过率基本相等,约为60;,进一步表明In的掺入并未导致严重的晶格和杂质吸收.然而,Ⅰ-Ⅴ测试分析发现,In掺杂使得ZnTe晶体的电阻率提高了5个数量级.同时Hall测试分析表明,In:ZnTe与ZnTe晶体均为p型导电,In掺杂很大程度上补偿了晶体中的Vzn,使得晶体中的载流子浓度降低了4个数量级.对比了两种晶体的紫外-可见-近红外透过光谱,可以观察到,In掺杂使ZnTe的吸收边从550 nm红移到560nm,这可能是由于In掺杂引入的浅能级导致的吸收边带尾现象造成的.
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| 关 键 词： | MVB-Te溶剂法 In掺杂 红外透过显微成像 Ⅰ-Ⅴ测试 Hall测试, |
Effects of In Doping on the Optical and Electrical Properties of ZnTe Crystal Grown by MVB-Te Solvent Method |
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| LIU Hang,JIE Wan-qi,XU Ya-dong,YANG Rui. Effects of In Doping on the Optical and Electrical Properties of ZnTe Crystal Grown by MVB-Te Solvent Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(5): 1023-1028 |
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| Authors: | LIU Hang JIE Wan-qi XU Ya-dong YANG Rui |
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