| SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析 |
| |
| 引用本文： | 于国建,徐明升,胡小波,徐现刚.SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析[J].人工晶体学报,2014,43(5):1017-1022. |
| |
| 作者姓名： | 于国建 徐明升 胡小波 徐现刚 |
| |
| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100;山东浪潮华光光电子股份有限公司,济南250100 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(11134006,51321091);山东大学自主创新项目(2012ZD047);国家高技术研究发展计划(863计划)(2011AA050401) |
| |
| 摘 要： | 通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术,对金属有机化合物气相外延(MOCVD)生长的GaN外延膜及SiC衬底的相对取向,晶格常数和应力情况,位错密度等进行了分析.分析表明,GaN和SiC具有一致的a轴取向,GaN外延层弛豫度超过90;,GaN外延层的晶格常数与体块材料相近,在GaN中存在压应力,SiC衬底和GaN外延层中的位错密度分别为107和108量级.
|
| 关 键 词： | 高分辨X射线衍射 SiC衬底 GaN外延层 |
High Resolution X-ray Diffraction Analysis of GaN Epitaxial Layer Grown on SiC Substrate |
| |
| YU Guo-jian,XU Ming-sheng,HU Xiao-bo,XU Xian-gang.High Resolution X-ray Diffraction Analysis of GaN Epitaxial Layer Grown on SiC Substrate[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(5):1017-1022. |
| |
| Authors: | YU Guo-jian XU Ming-sheng HU Xiao-bo XU Xian-gang |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《人工晶体学报》下载全文 |
|
