| SiC晶片研磨加工亚表面损伤深度的研究 |
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| 引用本文： | 王栋,张银霞,郜伟,杨乐乐,苏建修.SiC晶片研磨加工亚表面损伤深度的研究[J].人工晶体学报,2014,43(6):1500-1503. |
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| 作者姓名： | 王栋 张银霞 郜伟 杨乐乐 苏建修 |
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| 作者单位： | 郑州大学机械工程学院,郑州,450001;河南科技学院机电学院,新乡,453003 |
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| 摘 要： | SiC晶片研磨加工表面层损伤深度直接影响后续抛光加工的成本和效率,但SiC单晶是典型的难加工材料,亚表面损伤检测极为困难.文中利用截面显微检测技术对SiC晶片研磨加工亚表面损伤深度进行了检测分析,并研究了研磨方式、工艺参数对损伤深度的影响及晶片上损伤深度的分布规律.结果表明,同样的研磨工艺参数条件下,固结磨料研磨SiC晶片损伤深度略小于游离磨料研磨晶片的损伤深度.固结磨料研磨时,随着磨料粒度从W7增大到W28,损伤深度由3.0 μm增大到4.7 μm.随着研磨压力从1 psi增大到3 psi,晶片损伤深度从4.1 μm增大到4.9 μm.在整个晶片上,损伤深度由中心向边缘沿径向逐渐增大,增大幅度约为0.6～1.0 μm.
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| 关 键 词： | SiC晶片 研磨加工 损伤深度 固结磨料 |
Study on the Subsurface Damage Depth of the Lapped SiC Wafers |
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| WANG Dong,ZHANG Yin-xia,GAO Wei,YANG Le-le,SU Jian-xiu.Study on the Subsurface Damage Depth of the Lapped SiC Wafers[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(6):1500-1503. |
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| Authors: | WANG Dong ZHANG Yin-xia GAO Wei YANG Le-le SU Jian-xiu |
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