| 氧离子后处理对氧化铟锡(ITO)薄膜电学和光学性能的影响 |
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| 引用本文： | 郭向茹,周灵平,彭坤,朱家俊,李德意. 氧离子后处理对氧化铟锡(ITO)薄膜电学和光学性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(5): 1037-1042 |
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| 作者姓名： | 郭向茹 周灵平 彭坤 朱家俊 李德意 |
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| 作者单位： | 湖南大学材料科学与工程学院,长沙,410082 |
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| 基金项目： | 湖南省战略性新兴产业重大科技攻关项目(2011GK4050) |
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| 摘 要： | 采用氧离子束对电子束蒸发制备且退火后的氧化铟锡(ITO)薄膜进行轰击后处理.经XPS检测发现氧元素在薄膜内含量增加,在深度方向上的梯度差下降.表面Sn4+含量增加,即掺杂离子浓度和载流子浓度提高,从而使薄膜方块电阻显著降低.当氧离子继续轰击时,薄膜的方块电阻保持平稳;同时,透过率曲线蓝移,紫外波段(300～400 nm)的平均透过率提高而可见光范围内(400 ～800 nm)的平均透过率略有下降,这种变化缘于薄膜的禁带宽度与折射率的增加.
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| 关 键 词： | ITO薄膜 电子束蒸发 氧离子束 方块电阻 透过率, |
Influence of Oxygen Ions Post Treatment on Electrical and Optical Properties of Indium Tin Oxide (ITO) Thin Films |
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| GUO Xiang-ru,ZHOU Ling-ping,PENG Kun,ZHU Jia-jun,LI De-yi. Influence of Oxygen Ions Post Treatment on Electrical and Optical Properties of Indium Tin Oxide (ITO) Thin Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(5): 1037-1042 |
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| Authors: | GUO Xiang-ru ZHOU Ling-ping PENG Kun ZHU Jia-jun LI De-yi |
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