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能量范围从20keV到34keV的锆元素K壳层电离截面
引用本文:周长庚,付玉川,安竹,罗正明.能量范围从20keV到34keV的锆元素K壳层电离截面[J].强激光与粒子束,2001,13(1):117-119.
作者姓名:周长庚  付玉川  安竹  罗正明
作者单位:1. 四川大学 教育部辐射物理和技术重点实验室,四川 成都,610064; 2.中国工程物理研究院 核物理与化学研究所,四川 绵阳 621900
基金项目:教育部科学技术重点项目资助课题!(99202)
摘    要: 用20~34keV能量的电子束轰击锆靶,从而测得锆元素的K壳层电离截面。这些数据是国际上首次报道。在实验中采用电子输运双群模型修正了由厚衬底产生的反射电子对计数的影响。同时用蒙特卡罗EGS4程序计算了电子在质量厚度为24.3mg/cm2的锆靶中的平均路径长度。

关 键 词:电离截面  电子碰撞  电子输运
收稿时间:1900-01-01;

K-shell ionization cross sections of Zr element at energies from 20keV to 34keV
ZHOU Chang-geng,FU Yu-chuan,AN Zhu,LUO Zheng-ming.K-shell ionization cross sections of Zr element at energies from 20keV to 34keV[J].High Power Laser and Particle Beams,2001,13(1):117-119.
Authors:ZHOU Chang-geng  FU Yu-chuan  AN Zhu  LUO Zheng-ming
Institution:1. Key Laboratory for Radiation Physics and Technology of Education Ministry, Sichuan University, Chengdu 610064,China;2. Institute of Nuclear Physics and Chemistry, CAEP, Mianyang 621900 China
Abstract:Through bombarding the Zr target by the electrons at energies from 20keV to 34 keV. the K-shell ionization cross section of Zr element is obtained. These data are reported for the first time in the world. In the experiment, the influence of the electrons reflected from the thick substrate was corrected by means of a bipartition model of the electron transport. The mean path of the electrons passing through the Zr target of 24. 3ig/cm' mass thickness is calculated by the EGS4 program of Monte Carlo techniquel.
Keywords:ionization cross sections  electron impact  electron transport
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