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水在光诱导制备TiO2(110)表面BBO氧空位过程中的抑制作用 (cited: 1)
引用本文:徐晨彪,杨文绍,郭庆,戴东旭,陈茂笃,杨学明. 水在光诱导制备TiO2(110)表面BBO氧空位过程中的抑制作用 (cited: 1)[J]. 化学物理学报, 2013, 26(6): 646-650
作者姓名:徐晨彪  杨文绍  郭庆  戴东旭  陈茂笃  杨学明
作者单位:大连理工大学物理与光电工程学院,大连116024;中国科学院大连化学物理研究所分子反应动力学国家重点实验室,大连116023;中国科学院大连化学物理研究所分子反应动力学国家重点实验室,大连116023;中国科学院大连化学物理研究所分子反应动力学国家重点实验室,大连116023;中国科学院大连化学物理研究所分子反应动力学国家重点实验室,大连116023;大连理工大学物理与光电工程学院,大连116024;中国科学院大连化学物理研究所分子反应动力学国家重点实验室,大连116023
摘    要:利用程序升温脱附谱研究了用266 nm激光在表面制备不同氧空位浓度的方法.实验表明利用266 nm激光能够很容易产生表面氧空位.同样90 s光照,在光子数密度大于6.7×1016 photons/cm2s的时候,表面氧空位浓度和和光子数密度成线性关系.在光照过程中,没有观测到氧气和钛原子的脱附,表明利用266 nm激光在TiO2(110)-(1×1)制备氧空位是一种有效而且温和的方式.而在表面提前吸附水利用激光产生氧空位的速率比干净的表面慢了两个数量级.进一步研究表面,预先吸附了水后,在光照过程中水更容易脱附,导致桥氧原子的脱附被抑制,降低了氧空位产生的速率

关 键 词:程序升温脱附,时间飞渡谱,光致脱附,氧空位

Suppression of Photoinduced BBO Defects Generation on TiO2(110) by Water (cited: 1)
Chen-biao Xu,Wen-shao Yang,Qing Guo,Dong-xu Dai,Mao-du Chen and Xue-ming Yang. Suppression of Photoinduced BBO Defects Generation on TiO2(110) by Water (cited: 1)[J]. Chinese Journal of Chemical Physics, 2013, 26(6): 646-650
Authors:Chen-biao Xu  Wen-shao Yang  Qing Guo  Dong-xu Dai  Mao-du Chen  Xue-ming Yang
Abstract:We have investigated creation of variable concentrations of defects on TiO2(110)-(1×1) sur-face by 266 nm laser using temperature programmed desorption technique. Oxygen-vacancy defects can be easily induced by ultraviolet light, the defects concentration has a linear dependence on power density higher than 50 mW/cm2 for 90 s irradiation. No observa-tion of O2 molecule and Ti atom desorption suggests that UV induced defects creation on TiO2(110)-(1×1) is an effective and gentle method. With pre-dosage of thin films of water,the rate of defects creation on TiO2(110)-(1×1) is slower at least by two orders of magnitude than bare TiO2(110)-(1×1) surface. Further investigations show that water can be moreeasily desorbed by UV light, and thus desorption of bridging oxygen is depressed.
Keywords:Temperature programmed desorption   Time of flight spectrum   Photo-stimulated desorption   Oxygen vacancy
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