感应加热的立式MOCVD反应室中一种∧形槽的基座

利用有限元法对感应加热的金属有机化学气相淀积（MOCVD）反应室的温度场进行了数值计算研究，研究发现，由于集肤效应，MOCVD反应室中传统的圆柱形基座中的温度分布不均匀，本文提出了一种∧形槽结构的基座，∧形槽改变了基座中的传热方式和速率，从而提高了被加热晶片温度分布的均匀性。通过对加热四英寸的基座优化发现，与传统的基座相比，优化后的基座，使晶片温度均匀性提高了85%,而且对这种优化的加热结构，在不同的温度下，晶片温度分布仍保持一定的均匀性，这有利于薄膜材料的生长。