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自旋阀中的各向异性磁电阻效应
引用本文:姜宏伟,王艾玲,郑鹉. 自旋阀中的各向异性磁电阻效应[J]. 物理学报, 2005, 54(5): 2338-2341
作者姓名:姜宏伟  王艾玲  郑鹉
作者单位:首都师范大学物理系,北京 100037
基金项目:北京市教委科技发展基金及北京市优秀人才培养专项基金资助的课题.
摘    要:采用平面霍尔效应测量方法,对Ta(8nm)/NiFe(7nm)/Cu(24nm)/NiFe(44nm)/FeMn(14nm)/Ta(6nm)自旋阀多层膜进行了研究.结果表明,在样品中存在着自由层和被钉扎层之间的各向异性磁电阻的“混合”效应.与通常所采用的磁电阻测量方法相结合,平面霍尔效应的测 量可以给出自旋阀中各向异性磁电阻以及自由层和被钉扎层的磁矩随外场变化的更多信息.关键词:自旋阀各向异性磁电阻平面霍尔效应

关 键 词:自旋阀  各向异性磁电阻  平面霍尔效应
文章编号:1000-3290/2005/54(05)2338-04
收稿时间:2004-07-21

Anisotropic magnetoresistance effect in spin valve multilayers
Jiang Hong-Wei,Wang Ai-Ling,Zheng Wu. Anisotropic magnetoresistance effect in spin valve multilayers[J]. Acta Physica Sinica, 2005, 54(5): 2338-2341
Authors:Jiang Hong-Wei  Wang Ai-Ling  Zheng Wu
Abstract:Planar Hall effect(PHE) in Ta(8nm)/NiFe(7nm)/Cu(2.4nm)/NiFe(4.4nm)/FeMn(14nm)/Ta(6nm) spin valve multilayer have been measured in magnetic fields rotating in the film plane. A “mixed” effect of the free and pinned layers on anisotropic magnetoresistance (AMR) has been obtserved. The result shows that the PHE can give more information about the magnetic configurations of the spin valve multilayers than the usual MR measurements.
Keywords:spin valve   AMR   planar Hall effect
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