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| Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体多层结构中的自旋极化隧穿 | |
| 引用本文： | 杨明,宫箭,李贺年,李硕.Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体多层结构中的自旋极化隧穿[J].发光学报,2010,31(4):515-520. |
| 作者姓名： | 杨明 宫箭 李贺年 李硕 |
| 作者单位： | 内蒙古大学 物理科学与技术学院, 内蒙古 呼和浩特 010021 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，内蒙古自然科学基金，国家大学生创新性实验计划 |
| 摘 要： | 采用转移矩阵法和Airy函数,研究了ZnSe/ZnMnSe/ZnSe/ZnBeSe/ZnSe/ZnBeSe/ZnSe异质结构的自旋极化输运。在外加偏压和磁场对电子透射系数和自旋极化率的影响方面,所得到的结论显现出复杂而有趣的特性。磁场对自旋向上和向下电子隧穿的影响是不同的:对于自旋向上情况,出现双共振向单共振转换现象。 |
| 关 键 词： | 稀磁半导体 自旋极化 共振隧穿 |
| 收稿时间： | 2009-09-22 |
| 修稿时间： | 2010-01-27 |
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