| 化学气相沉积法中SnO2一维纳米结构的控制生长 |
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| 引用本文： | 曾春来,唐东升,刘星辉,海阔,羊亿,袁华军,解思深. 化学气相沉积法中SnO2一维纳米结构的控制生长[J]. 物理学报, 2007, 56(11) |
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| 作者姓名： | 曾春来 唐东升 刘星辉 海阔 羊亿 袁华军 解思深 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;湖南省教育厅青年基金 |
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| 摘 要： | 以Sn和SnO为源材料,化学气相沉积法中通过控制反应物配比及载气中的氧含量等宏观实验条件,实现了SnO2一维纳米结构的控制生长,成功获得各种不同横向尺度的SnO2纳米线、纳米带以及直径连续变化的针状纳米结构. 通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪对不同实验条件下所制备的样品进行形貌和晶格结构表征,认为高温生长点附近锡与氧的相对含量是控制SnO2一维纳米结构生长的关键因素;并在此基础上对SnO2一维纳米结构的生长机理进行了深入的讨论.
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| 关 键 词： | 二氧化锡 纳米线 针状纳米结构 化学气相沉积法(CVD) |
Controllable preparation of SnO2 one-dimensional nanostructures by chemical vapor deposition |
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| Zeng Chun-Lai,Tang Dong-Sheng,Liu Xing-Hui,Hai Kuo,Yang Yi,Yuan Hua-Jun,Xie Si-Shen. Controllable preparation of SnO2 one-dimensional nanostructures by chemical vapor deposition[J]. Acta Physica Sinica, 2007, 56(11) |
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| Authors: | Zeng Chun-Lai Tang Dong-Sheng Liu Xing-Hui Hai Kuo Yang Yi Yuan Hua-Jun Xie Si-Shen |
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