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用交流热激电流研究窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe的深能级
引用本文:林和,汤定元.用交流热激电流研究窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe的深能级[J].红外与毫米波学报,1988,7(4).
作者姓名:林和  汤定元
作者单位:中国科学院上海技术物理研究所 上海 (林和),中国科学院上海技术物理研究所 上海(汤定元)
摘    要:用交流热激电流(ATSC)方法研究了x=0.195~0.275的窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe半导体中的深能级,讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe深能级的物理性质。实验表明交流热激电流方法(ATSC)是研究窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe深能级的一种有效方法。

关 键 词:Hg_(1-x)Cd_xTe  交流热激电流  深能级
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