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| 低温GaAs被动调Q锁模Nd∶Gd_(0.42)Y_(0.58)VO_4混晶激光器特性研究 | |
| 作者姓名： | 卓壮 姜其畅 王勇刚 苏艳丽 李涛 李建 |
| 作者单位： | 山东师范大学物理与电子科学学院 济南250014山东大学山大鲁能信息科技有限公司济南250100(卓壮)，山东师范大学物理与电子科学学院 济南250014(姜其畅，苏艳丽，李涛，李建)，中国科学院半导体研究所 北京100083(王勇刚) |
| 基金项目： | 山东省科技厅科技攻关计划(031080125)资助课题 |
| 摘 要： | 采用低温生长GaAs晶体作为被动饱和吸收体兼输出镜,实现了Nd∶Gd0.42Y0.58VO4混晶激光器的调Q锁模运转。研究了Nd∶Gd0.42Y0.58VO4激光器的基频运转特性。在输出镜透射率T=10%、腔长L=40 mm的情况下,当抽运功率为8.6 W时,获得激光输出功率3.78 W,光光转换效率为43.9%。并测量了Nd∶Gd0.42Y0.58VO4混晶被动调Q激光器的输出特性。实验结果表明激光器调Q运转阈值为2 W,当抽运功率为3.7 W时,激光器出现调Q锁模行为;当抽运功率为8.6 W时,激光器调Q锁模深度达70%以上,对应的脉冲包络重复频率为670 kHz,半峰全宽为180 ns,平均输出功率为1.35 W,光光转换效率为15.7%。 |
| 关 键 词： | 激光器 Nd∶Gd0.42Y0.58VO4混晶 低温GaAs晶体 调Q锁模 激光二极管抽运 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |