半导体低温激光荧光光谱测定硅中的硼磷含量 |
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引用本文: | 王昌平,刘彬,吴晓毅,苏九令,缪伯才,钱佑华.半导体低温激光荧光光谱测定硅中的硼磷含量[J].红外与毫米波学报,1984,3(4). |
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作者姓名: | 王昌平 刘彬 吴晓毅 苏九令 缪伯才 钱佑华 |
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作者单位: | 复旦大学物理系
(王昌平,刘彬,吴晓毅,苏九令,缪伯才),复旦大学物理系(钱佑华) |
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摘 要: | 随着LSI、大功率器件、红外探测器等器件的发展,元件制造技术的提高,对Si材料提出了愈来愈高的质量要求,尤其是Si材料中的微量杂质,因为它的含量及其浓度分布直接影响元件的性能与成品率,所以对杂质含量的分析显得十分重要。测定杂质分布最常用的手段是先测定电阻率,再根据Irvin曲线求出载流子浓度|N_o-N_A|,但这种方法不能测出
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