| In_2O_3:Sn中间层改善B掺杂ZnO薄膜的性能及其应用研究 |
| |
| 引用本文： | 赵慧旭,陈新亮,杨旭,杜建,白立沙,陈泽,赵颖,张晓丹.In_2O_3:Sn中间层改善B掺杂ZnO薄膜的性能及其应用研究[J].物理学报,2014,63(5):56801-056801. |
| |
| 作者姓名： | 赵慧旭 陈新亮 杨旭 杜建 白立沙 陈泽 赵颖 张晓丹 |
| |
| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所, 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室与南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室, 天津 300071 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707);天津市重大科技支撑计划项目(批准号:11TXSYGX22100);天津市应用基础及前沿技术研究计划(批准号:13JCZDJC26900);科技部国际合作项目(批准号:2009DFA62580);科技部863高技术发展计划(批准号:2013AA050302);中央高校基本科研业务费专项资金项目(批准号:65010341)资助的课题~~ |
| |
| 摘 要： | 金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长的掺硼氧化锌(BZO)薄膜,具有天然的"类金字塔"绒面结构,作为硅基薄膜太阳电池的前电极具有良好的陷光效果.但直接获得的BZO薄膜表面形貌过于尖锐,影响后续硅基薄膜材料生长质量及太阳电池的光电转换效率.本文设计了以一层超薄In2O3:Sn(ITO)薄膜(～4 nm厚度)作为中间层的多层膜,并通过对顶层BZO薄膜的厚度调制,改善BZO薄膜的表面特性,薄膜结构为:glass/底层BZO/ITO/顶层BZO.合适厚度的顶层BZO薄膜有助于获得类似"菜花状"形貌特征,尖锐的表面趋于"柔和",而较厚的顶层BZO薄膜仍然保持"类金字塔状"结构."柔和"的BZO薄膜表面结构有助于提高后续生长薄膜电池的结晶质量.将获得的新型"三明治"结构多层膜应用于p-i-n型氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜太阳电池,相比传统的BZO薄膜,电池的量子效率QE在500—800 nm波长范围提高了～10%,并且电池的Jsc和Voc均有所提高.
|
| 关 键 词： | 掺硼氧化锌(BZO)薄膜 In2O3 Sn(ITO)中间层 表面形貌 太阳电池 |
| 收稿时间： | 2013-07-06 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
