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| Bi2Sr2CaCu2O8+δAu界面性质的研究 | |
| 作者姓名： | 朱晓波 赵士平 于洪伟 任育峰 陈赓华 解思深 杨乾声 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所极端条件实验室,北京,100080 |
| 基金项目： | 科技部资助项目,NKBRSF-G19990646, |
| 摘 要： | 采用高真空下(2～3×10-5Pa)原位,低温(77K)解理,高速原位蒸发金膜的方法,我们得到了接近"本征"的CuO2/Au接触界面.测量结果显示接触界面为欧姆接触.四端法测量的结果显示这样的界面有着较小的电阻率(<1.5×10-8Ωcm2).我们认为,一种可能是因为临近效应的影响造成了CuO2/Au接触界面电阻的消失,而所测量到的剩余电阻实际应为外电路引入的电阻,而另一种可能是界面仍然存在一极小的欧姆接触电阻.这将对研究高温超导体与金属接触的界面性质有着积极的意义. |
| 关 键 词： | 高温超导体 界面性质 表面结 接触界面 欧姆接触电阻 超导器件 Bi2Sr2CaCu2O8＋δAu 超导电性 |
| 修稿时间： | 2003-04-05 |
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