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| 混晶GaAs1—xPx：N中Nx带的发光瞬态过程研究 | |
| 引用本文： | 俞容文,黄旭光.混晶GaAs1—xPx：N中Nx带的发光瞬态过程研究[J].厦门大学学报(自然科学版),1997,36(2):216-220. |
| 作者姓名： | 俞容文 黄旭光 |
| 作者单位： | [1]厦门大学物理学系 [2]中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室 |
| 摘 要： | 采用皮称量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ材料发光瞬态过程，结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带转变的带增强效应，对Ｎｘ发光带不同能量位置的发光衰退测量还表明Ｎｘ带同时存在着快速的带内隧道转移和较慢的发光衰退过程。 |
| 关 键 词： | Ⅲ－Ⅴ族 半导体 杂质 发光瞬态过程 混晶半导体 |
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