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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
掠入射X射线衍射研究Si覆盖层对Ge/Si量子点微结构的影响
作者姓名:
何庆
贾全杰
姜晓明
崔健
蒋最敏
作者单位:
1 中国科学院高能物理研究所 北京 100039;2 复旦大学应用表面物理实验室 上海 200433
摘 要:
利用掠入射X射线衍射和常规X射线衍射研究了Si(001)上的Ge量子点在不同厚度的Si覆盖层下微结构的变化,同时用AFM研究了其形貌变化.实验结果表明在小的覆盖度下,量子点中组分的变化已十分明显,同时量子点的形状也发生了明显的变化.
关 键 词:
量子点
组分
应变
掠入射X射线衍射
收稿时间:
2003-11-21
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