0.1微米以下晶体管对传统概念的挑战

晶体管在集成电路中占据着中心的位置,在“开”、“闭”两种状态下都要消耗能量:开路时,电流从源极流向漏极;闭路时,栅极和沟道之间存在的电荷泄漏同样也会形成电流。对较大尺寸(1微米)的晶体管来说,这种静态电流只占到整体能耗的0.01％,而在0.1微米以下的晶体管中,这种电流造成的能耗已占全部能耗的10％。对便携设备来讲,不但要有更小的设计尺度,消费者还要求电池能用更长的时间。

Sub-100nm Transistors Defy Conventional Wisdom