|
|||||
|
|
| 不同温度下n-InP吸收系数测定及能带结构的讨论 | |
| 引用本文： | 高中林,汪开源,李远进.不同温度下n-InP吸收系数测定及能带结构的讨论[J].东南大学学报(自然科学版),1985(4). |
| 作者姓名： | 高中林 汪开源 李远进 |
| 作者单位： | 南京工学院电子工程系 讲师(高中林，汪开源)，南京工学院电子工程系 教师(李远进) |
| 摘 要： | 本文从基本吸收限到2μm范围内,在不同温度下、测定了掺Sn的n-InP单晶的吸收系数。从吸收谱着手,研究了主吸收边、中心导带底及相邻导带谷能量差ΔE对温度的依赖关系,以及温度变化时,能带结构的变化趋势。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |