| GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层中的近红外光致发光对激发强度的依赖关系 |
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| 引用本文： | 赵家龙,高瑛,刘学彦,苏锡安,梁家昌,关兴国,章其麟.GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层中的近红外光致发光对激发强度的依赖关系[J].半导体学报,1992,13(4):236-241. |
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| 作者姓名： | 赵家龙 高瑛 刘学彦 苏锡安 梁家昌 关兴国 章其麟 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所 长春130021
(赵家龙，高瑛，刘学彦，苏锡安)，中国民用航空学院 天津300300
(梁家昌)，河北半导体研究所 石家庄050051
(关兴国)，河北半导体研究所 石家庄050051(章其麟) |
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| 摘 要： | 本文首次报道了利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的有序的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光的研究,并观测到深能级产生的三个发光峰,其峰值能量分别为 1.17,0.99和 0.85eV.根据它们的近红外发光光谱随着激发强度的变化关系,我们证实这些发光都是由于施主-受主对复合产生的发光.
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