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| 封装工艺对SiC功率模块热电性能的影响 | |
| 引用本文： | 袁凤坡,白欣娇,李帅,崔素杭,李晓波,王静辉.封装工艺对SiC功率模块热电性能的影响[J].半导体技术,2019,44(9):712-716,734. |
| 作者姓名： | 袁凤坡 白欣娇 李帅 崔素杭 李晓波 王静辉 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;同辉电子科技股份有限公司,石家庄050200;河北省半导体照明产业技术研究院,石家庄 050200;同辉电子科技股份有限公司,石家庄050200;河北省半导体照明产业技术研究院,石家庄 050200;同辉电子科技股份有限公司,石家庄,050200 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | SiC 功率模块 热电特性 有限元分析 空洞率 |
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