| 紫外光和催化剂对GaN电化学特性及CMP速率的影响 |
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| 引用本文： | 于璇,张保国,考政晓,杨盛华,刘旭阳,韦伟.紫外光和催化剂对GaN电化学特性及CMP速率的影响[J].半导体技术,2019,44(10):783-789. |
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| 作者姓名： | 于璇 张保国 考政晓 杨盛华 刘旭阳 韦伟 |
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| 作者单位： | 河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130;河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130;河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130;河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130;河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130;河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130 |
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| 基金项目： | 河北省高层次人才资助项目百人计划项目 |
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| 摘 要： |
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| 关 键 词： | GaN 化学机械抛光(CMP) 电化学 抛光速率 紫外光 催化剂 |
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