n-Ga2O3/p-GaAs异质结日盲紫外探测器制备 |
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作者姓名: | 党新明 焦腾 陈沛然 于含 韩宇 李震 李轶涵 董鑫 |
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基金项目: | 国家重点研发计划(2022YFB3605500);;吉林省自然科学基金(20230101124JC,20220101119JC)~~; |
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摘 要: | 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在p-GaAs(100)衬底上外延了Ga2O3薄膜并制备了n-Ga2O3/p-GaAs异质结日盲紫外探测器。通过X射线衍射仪、原子力显微镜、场发射扫描电子显微镜等方法对Ga2O3薄膜表面形貌、晶体质量进行了测试与分析。结果表明,Ga2O3薄膜呈单一晶向,薄膜表面平整且为Volmer-Weber模式外延。测试表明,n-Ga2O3/p-GaAs异质结探测器具有明显的整流特性。器件在5 V反向偏压和紫外光(254 nm)照射下实现了超过3.0×104的光暗电流比、7.0 A/W的响应度、3412%的外量子效率、4.6×1013 Jones的探测率。我们利用TCAD软件对器件结构进行仿真,得到了器件内的电场分布和能带结构,并分析了器件的工作原理。该异质结探测器性能较好,制造工艺简单,为Ga
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关 键 词: | 氧化镓 金属有机化学气相沉积 异质结 日盲紫外探测器 |
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