| n-Ga2O3/p-GaAs异质结日盲紫外探测器制备 |
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| 引用本文： | 党新明,焦腾,陈沛然,于含,韩宇,李震,李轶涵,董鑫.n-Ga2O3/p-GaAs异质结日盲紫外探测器制备[J].发光学报,2024(3):476-483. |
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| 作者姓名： | 党新明 焦腾 陈沛然 于含 韩宇 李震 李轶涵 董鑫 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划(2022YFB3605500)；;吉林省自然科学基金(20230101124JC,20220101119JC)~~； |
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| 摘 要： | 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在p-GaAs(100)衬底上外延了Ga2O3薄膜并制备了n-Ga2O3/p-GaAs异质结日盲紫外探测器。通过X射线衍射仪、原子力显微镜、场发射扫描电子显微镜等方法对Ga2O3薄膜表面形貌、晶体质量进行了测试与分析。结果表明，Ga2O3薄膜呈单一晶向，薄膜表面平整且为Volmer-Weber模式外延。测试表明，n-Ga2O3/p-GaAs异质结探测器具有明显的整流特性。器件在5 V反向偏压和紫外光(254 nm)照射下实现了超过3.0×104的光暗电流比、7.0 A/W的响应度、3412%的外量子效率、4.6×1013 Jones的探测率。我们利用TCAD软件对器件结构进行仿真，得到了器件内的电场分布和能带结构，并分析了器件的工作原理。该异质结探测器性能较好，制造工艺简单，为Ga
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| 关 键 词： | 氧化镓 金属有机化学气相沉积 异质结 日盲紫外探测器 |
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