掺铈Cs2BaBr4晶体的生长和闪烁性能研究 |
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引用本文: | 殷洁,张小强,陈灿,潘建国.掺铈Cs2BaBr4晶体的生长和闪烁性能研究[J].人工晶体学报,2024(5):760-765. |
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作者姓名: | 殷洁 张小强 陈灿 潘建国 |
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作者单位: | 1. 湖南化工职业技术学院;2. 宁波大学材料科学与化学工程学院,浙江省光电探测材料及器件重点实验室 |
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基金项目: | 2021年湖南省教育厅科学研究资助项目(21C1116); |
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摘 要: | 以高纯度BaBr2、CsBr、CeBr3为原料,采用高温固相反应法合成了Cs2BaBr4∶1%Ce3+多晶料,并通过坩埚下降法生长了Cs2BaBr4∶1%Ce3+晶体。将晶体切割研磨抛光后得到不同厚度的Cs2BaBr4∶1%Ce3+晶片。对晶体进行了物相分析,XRD图谱表明晶体为一致熔融物,且无相变。研究了晶体的闪烁性能,测试了光学透射率、光致发光、X射线激发发光、多通道gamma能谱、衰减时间。与LaBr3晶体对比,分析了晶体的吸湿性。结果表明,晶体的光学透过率接近80%,在一定波段的紫外光及X射线的激发下,晶体在349与372 nm波长有发射峰。137Cs源伽马射线的激发下,能量分辨率为11%,在紫外激发下,晶体衰减时间为21.9 ns。晶体的吸湿性比LaBr3晶体有大幅改善。
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关 键 词: | Cs2BaBr4∶1%Ce3+晶体 坩埚下降法 光致发光 X射线激发发光 衰减时间 吸湿性 |
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