深亚微米ESD保护器件GGNMOS性能分析与设计 |
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引用本文: | 薛婧,肖立伊,曾名志.深亚微米ESD保护器件GGNMOS性能分析与设计[J].中国集成电路,2007,16(12):46-51. |
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作者姓名: | 薛婧 肖立伊 曾名志 |
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作者单位: | 哈尔滨工业大学微电子中心 |
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摘 要: | 本文采用MEDICI作为集成电路ESD保护常用器件—栅极接地NMOS管(GGNMOS)ESD性能分析的仿真工具,综合分析了各种对GGNMOS的ESD性能有影响的因素,如衬底掺杂、栅长、接触孔距离等,为深亚微米下ESD保护器件GGNMOS的设计提供了依据。通过分析发现衬底接触孔到栅极距离对GGNMOS器件ESD性能也有一定影响,此前,对这一因素的讨论较少。最后,根据分析结果,给出了一个符合ESD性能要求的器件设计。
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关 键 词: | 深亚微米GGNMOS |
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