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低功耗CMOS同或门的设计
引用本文:张爱华,夏银水. 低功耗CMOS同或门的设计[J]. 宁波大学学报(理工版), 2006, 19(3): 290-295
作者姓名:张爱华  夏银水
作者单位:宁波大学,信息科学与工程学院,浙江,宁波,315211;宁波大学,信息科学与工程学院,浙江,宁波,315211
基金项目:国家自然科学基金;浙江省教育厅资助项目
摘    要:讨论了现有异或门/同或(XOR/XNOR)门的设计,指出了基于不同逻辑类型设计的门电路的优缺点.考虑到基于CMOS设计的XNOR门相对于其他逻辑门在各方面的优点,重点分析了CMOSXNOR门结构对门电路性能的影响.提出了一个新颖的CMOS同或门电路.经PSPICE仿真模拟表明,新设计在没有增加管子数的前提下,改善了门电路的性能.将新设计应用到全加器的设计中,其功耗和功耗延迟积的改进分别达到了9.9%和11.6%.

关 键 词:低功耗  同或门  加法器
文章编号:1001-5132(2006)03-0290-06
收稿时间:2006-03-12
修稿时间:2006-03-12

A Design of Low Power Consumption CMOS XNOR Gate
ZHANG Ai-hua,XIA Yin-shui. A Design of Low Power Consumption CMOS XNOR Gate[J]. Journal of Ningbo University(Natural Science and Engineering Edition), 2006, 19(3): 290-295
Authors:ZHANG Ai-hua  XIA Yin-shui
Affiliation:Faculty of Information Science and Technology, Ningbo University, Ningbo 315211, China
Abstract:
Keywords:low power   XNOR   full adder
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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