| 透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性 |
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| 引用本文： | 李娟,胡小波,高玉强,王翎,徐现刚. 透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(5): 1117-1120 |
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| 作者姓名： | 李娟 胡小波 高玉强 王翎 徐现刚 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部跨世纪优秀人才培养计划，山东省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术对氮化硼坩埚中自发成核的AIN单晶生长习性进行了研究.结果表明,在低温下,AIN单晶显露面为(0001)面,随着温度的升高,AIN单晶显露面转化为(1120)面.沟槽结构是高温下得到的AIN单晶共有的显著特征,其取向沿[0001]方向.
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| 关 键 词： | 透射电子显微术 高分辨x射线衍射仪 AIN单晶 |
Investigation on Growth Habit of AIN Crystal by TEM and HRXRD Method |
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| LI Juan,HU Xiao-bo,GAO Yu-qiang,WANG Ling,XU Xian-gang. Investigation on Growth Habit of AIN Crystal by TEM and HRXRD Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(5): 1117-1120 |
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| Authors: | LI Juan HU Xiao-bo GAO Yu-qiang WANG Ling XU Xian-gang |
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