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| 变温浓缩-气相色谱法测定高纯氢气中O_2、N_2、CH_4、CO和CO_2 | |
| 引用本文： | 王治中,钟冠杰,张希凤.变温浓缩-气相色谱法测定高纯氢气中O_2、N_2、CH_4、CO和CO_2[J].分析试验室,1982(2). |
| 作者姓名： | 王治中 钟冠杰 张希凤 |
| 作者单位： | 洛阳单晶硅厂，洛阳单晶硅厂，洛阳单晶硅厂 |
| 摘 要： | 半导体材料的生产对还原性气体——氢气纯度的要求越来越高,因此必须控制和分析高纯氢气中微量氧、氮、甲烷、一氧化碳和二氧化碳的含量。已有在-196℃低温下用5A 分子筛浓缩并测定高纯氢气中氧和氮的报导。还简要报导过以 GDX-105在低温下浓缩氢气中杂质气体的测定方法。本文试验研究了在液氮温度下浓缩以及测定上述杂质气体的条 |
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