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| 晶片融合产生长波低阈值垂直腔激光器 | |
| 摘 要： | 日本NTT光电实验室的研究人员演示了一种以双InGaAs/InP-GaAs/AlAs分布式布喇格反射器为基础的1.55μm输出垂直腔表面发射激光器(VCSEL)。靠晶片融合进行的设计,其不匹配位错密度低于InP/GaAs界面上的异质外延生长。这种直径为25μm的器件在23℃时的阈值电流为8.8mA,阈值?.. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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