| 光刻与等离子体刻蚀技术 |
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| 引用本文： | 刘之景,刘晨. 光刻与等离子体刻蚀技术[J]. 物理, 1999, 28(7): 425-429 |
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| 作者姓名： | 刘之景 刘晨 |
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| 作者单位： | [1]中国科学技术大学与天文与应用物理系 [2]中国科学大学电子工程瑟信息科学系 |
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| 摘 要： | 介绍了光刻与等离子体刻蚀技术的特点与进展，阐述了等离子体刻蚀的物理机制与前沿问题。
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| 关 键 词： | 光刻 等离子体刻蚀 物理机制 |
LITHOGRAPHY AND PLASMA ETCHING TECHNOLOGY |
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| Liu Zhijing. LITHOGRAPHY AND PLASMA ETCHING TECHNOLOGY[J]. Physics, 1999, 28(7): 425-429 |
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| Authors: | Liu Zhijing |
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| Abstract: | The characteristics and progress of lithography technique and plasma etching technology are summarized.Their physical mechanisms and current research problems are also explained. |
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| Keywords: | lithography plasma etching physical mechanism |
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